Особливості росту напівпровідникових плівок халькогенідів

Зікратий, О.С.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88140

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Особливості росту напівпровідникових плівок халькогенідів
Other Titles	Growth features of chalcogenides semiconductor films
Authors	Зікратий, О.С.
ORCID
Keywords	геліоенергетика гелиоэнергетика heli energetics сонячний елемент солнечный элемент solar cell фотоперетворювач фотопреобразователь photo converter базовий шар базовый слой base layer
Type	Bachelous Paper
Date of Issue	2022
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88140
Publisher	Конотопський інститут Сумського державного університету
License	Copyright not evaluated
Citation	Зікратий О. С. Особливості росту напівпровідникових плівок халькогенідів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 – електроніка / наук. кер. М. М. Іващенко. Конотоп : КІ СумДУ, 2022. 27 с.
Abstract	Об’єктом дослідження дипломної роботи є фізичні основи керування структурно чутливими оптичними характеристиками приладових структур, придатних для використання у оптоелектроніці та геліоенергетиці. Мета роботи полягає у аналізі нових матеріалів для оптоелектроніки та геліоенергетики, які є придатними для використання в якості базових напівпровідникових шарів фотоперетворювачів високої ефективності. При виконанні роботи використовувались сучасні літературні джерела з даної тематики. У першому розділі був проведений літературний аналіз сучасних джерел, за яким був обраний подальший напрям дослідження з даного питання. У другому розділі були описані нові матеріали сонячної енергетики, придатні для використання в якості поглинальних та фотокондуктивних шарів фотоперетворювачів, проведений аналіз їх основних фізико-технічних характеристик. За результатами проведеної роботи зроблені відповідні висновки.
Appears in Collections:	Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ)