Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89189
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Photosensitive CuFeO2/n-InSe Heterojunctions
Other Titles Фоточутливі гетеропереходи CuFeO2/n-InSe
Authors Tkachuk, I.G.
Orletskii, I.G.
Ivanov, V.I.
Zaslonkin, A.V.
Kovalyuk, Z.D.
Keywords селенід індію
CuFeO2
електропровідність
фоточутливість
indium selenide
electrical conductivity
photosensitivity
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89189
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation I.G. Tkachuk, I.G. Orletskii, V.I. Ivanov, et al., J. Nano- Electron. Phys. 14 No 4, 04016 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04016
Abstract Методом низькотемпературного спрей-піролізу виготовлено фоточутливі анізотипні гетеропереходів CuFeO2/n-InSe. На нагріту до 623 K підкладку InSe розпилювався водний розчин солей двохлористої міді CuCl2∙2H2O і трихлористого заліза FeCl3∙6H2O. В результаті отримувались плівки CuFeO2 р-типу із товщиною ~ 0,3 мкм та шириною забороненої зони 2,6 еВ. Контакти формувалися з використанням струмопровідної пасти на основі срібла. Проведено дослідження ВАХ при температурах від 295 до 336 K. Показано, що температурна залежність висоти потенціального бар'єру є лінійною. На основі аналізу температурних залежностей прямих та обернених ВАХ встановлено динаміку зміни енергетичних параметрів та з'ясовано роль енергетичних станів на межі гетеропереходу у формуванні контактної різниці потенціалів. Проведено апроксимацію ВАХ в рамках моделі, що враховує вплив послідовного та шунтуючого опорів. Знайдено значення діодного коефіцієнту, послідовного та шунтуючого опорів гетеропереходу. Визначено механізми формування прямого та зворотного струмів через енергетичний бар'єр CuFeO2/n-InSe. Досліджено спектральну залежність квантової ефективності опроміненої з боку CuFeO2 гетероструктури в діапазоні енергій фотонів від 1,2 до 3,2 еВ. Проаналізовано вплив поглинання світла в матеріалах гетероструктури на її загальну фоточутливість. Отримані результати підтверджують перспективність гетероструктур CuFeO2/n-InSe для фотоелектроніки.
Photosensitive anisotypic CuFeO2/n-InSe heterojunctions were fabricated by the method of lowtemperature spray pyrolysis. An aqueous solution of copper dichloride CuCl2∙2H2O and iron trichloride FeCl3∙6H2O was sprayed onto the InSe substrate heated to 623 K. As a result, p-type CuFeO2 films with a thickness of ~ 0.3 µm and a band gap of 2.6 eV were obtained. Contacts were formed using silver-based conductive paste. The I-V characteristics were studied at temperatures from 295 to 336 K. It was shown that the temperature dependence of the height of the potential barrier is linear. Based on the analysis of the temperature dependences of forward and reverse I-V characteristics, the dynamics of change of energy parameters was established and the role of energy states at the boundary of the heterojunction in the formation of the contact potential difference was clarified. The approximation of I-V characteristics was carried out within the framework of the model, which takes into account the influence of series and shunt resistances. The values of the diode coefficient, series and shunt resistances of the heterojunction were found. The mechanisms of formation of direct and reverse currents through the CuFeO2/n-InSe energy barrier were determined. The spectral dependence of the quantum efficiency of heterojunctions in the range of photon energies from 1.2 to 3.2 eV was studied. The effect of light absorption in heterostructure materials on its general photosensitivity was analyzed. The obtained results confirmed the promise of CuFeO2/n-InSe heterojunctions for photoelectronics.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
160
Ireland Ireland
5
Poland Poland
1
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
405
United Kingdom United Kingdom
1
United States United States
162

Downloads

Israel Israel
1
Kazakhstan Kazakhstan
1
Poland Poland
71
South Korea South Korea
156
Ukraine Ukraine
163
United Kingdom United Kingdom
77
United States United States
159
Vietnam Vietnam
1

Files

File Size Format Downloads
Tkachuk_jnep_4_2022.pdf 598,2 kB Adobe PDF 629

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.