Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89205
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Distribution of Molybdenum Atoms over Depth of the Surface Layer of a Niobium Single Crystal Produced by Ion Bombardment
Other Titles Розподіл атомів молібдену в глибині поверхневого шару монокристалу ніобію, отриманого іонним бомбардуванням
Authors Ergashov, Y.S.
Donaev, S.B.
ORCID
Keywords поверхня
електронна спектроскопія
надвисокий вакуум
монокристал
іонна імплантація
surface
electron spectroscopy
ultra-high vacuum
single crystal
ion implantation
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89205
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Y.S. Ergashov, S.B. Donaev, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 4, 04026 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04026
Abstract Одним із фундаментальних напрямів використання іонної імплантації металів є формування поверхневих сплавів будь-якого складу, а їх кількісна характеристика – розподіл атомів домішкового елемента в глибині поверхневого шару металевої підкладки [1-5]. При вивченні внеску кожного компонента в зміну електронної структури, емісійно-адсорбційних і каталітичних властивостей багатокомпонентних металевих сплавів, створення особливо чистих металевих твердих розчинів, а також визначення фактичної концентрації легуючих елементів і їх розподілу в поверхневому шарі кристалів, мають велике значення. Для дослідження профілів розподілу концентрації іонно-імплантованих атомів тугоплавких металів у сплавах на основі тугоплавких металів використано метод пошарового аналізу за допомогою оже-електронної спектроскопії в поєднанні з аргоновою іонною гарматою. У роботі на прикладі імплантації низькоенергетичних іонів молібдену в монокристал ніобію огранювання (100) розглянуто особливості створення поверхневих сплавів на основі тугоплавких металів з низькою концентрацією легуючого елемента та розподілом іонно-імплантованого металу в приповерхневій області кристала [5-9].
One of the fundamental directions in the use of ion implantation of metals is the creation of surface alloys of any composition. And their quantitative characteristic is the distribution of atoms of the impurity element in depth of the surface layer of the metal substrate [1-5]. In the study of the contribution of each component in changing the electronic structure, emission-adsorption and catalytic properties of multicomponent metal alloys, the creation of particularly pure metal solid solutions, as well as the determination of the actual concentration of alloying elements and their distribution in the surface layer of crystals are of great value. To study the distribution profiles of the concentration of ion-implanted atoms of refractory metals in alloys based on refractory metals, the method of layer-by-layer analysis using Auger electron spectroscopy in conjunction with an argon ion cannon is used. In this work, on the example of implantation of low-energy molybdenum ions into a single crystal of niobium facet (100), the features of creating surface alloys based on refractory metals with a low concentration of the alloying element and the distribution of the ion-implanted metal in the near-surface region of the crystal are studied [5-9].
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

France France
1
Germany Germany
1
Ireland Ireland
127
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
4260
United Kingdom United Kingdom
2131
United States United States
35564
Unknown Country Unknown Country
4259
Uzbekistan Uzbekistan
644

Downloads

Canada Canada
1
China China
2132
Germany Germany
2125
India India
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
12712
United States United States
35565
Unknown Country Unknown Country
1
Uzbekistan Uzbekistan
24139

Files

File Size Format Downloads
Ergashov_jnep_4_2022.pdf 246,74 kB Adobe PDF 76677

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.