Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89218
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Surface Morphology Investigation during In-situ CdS Nanoparticles Growth in Hybrid P3HT:SA Films via Gas Exposure Technique
Other Titles Дослідження морфології поверхні під час in-situ вирощування наночастинок CdS в гібридних плівках P3HT:SA за допомогою методу впливу газу
Authors Syed, A. Malik
Fatin, Hana Naning
ORCID
Keywords наночастинки CdS
P3HT
стеаринова кислота
газ H2S
FESEM
EDX
CdS nanoparticles
stearic acid
H2S gas
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89218
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Syed A. Malik, Fatin Hana Naning, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 4, 04033 (2022) DOI https://doi.org/10.21272/jnep.14(4).04033
Abstract Унікальні фізичні властивості наночастинок неорганічних напівпровідників груп II-VI, включаючи їхню високу площу поверхні та нанорозмір, привернули значний дослідницький інтерес. У процесі інтегрування наночастинок з органічними напівпровідниковими матеріалами, вони утворюють багатофункціональні матеріали з перевагами для використання в електронних пристроях. При проведенні даного дослідження були підготовлені органічні/неорганічні тонкі плівки шляхом нанесення іонів P3HT, стеаринової кислоти (SA) та Cd2+ на кремнієві підкладки за новою технікою кутового осадження (ALD). Потім плівки піддавали впливу газу H2S протягом 2, 4, 6 і 15 годин для утворення зародків наночастинок CdS в матрицях P3HT:SA. Для характеристики гібридних органічних/неорганічних тонких плівок використовували автоелектронну скануючу мікроскопію (FESEM) і енергодисперсійне рентгенівське випромінювання (EDX). Як морфологічне, так і елементне дослідження продемонстрували існування наночастинок CdS. Оптимізований час впливу газу для гібридного полімеру P3HT:SA:CdS становив 6 год. Проведене дослідження означає, що методи ALD і впливу газу практичні для виготовлення гібридних органічних/неорганічних нанокомпозитних тонких плівок при кімнатній температурі.
The unique physical features of group II-VI inorganic semiconductor nanoparticles, including their high surface area and nanoscale size, have attracted significant study interest. When these nanoparticles are integrated with organic semiconductor materials, they form multifunctional materials with advantageous features for usage in electronic devices. This study prepared organic/inorganic thin films by depositing P3HT, stearic acid (SA), and Cd2+ ions onto silicon substrates by a novel Angle Lifting Deposition (ALD) technique. The films were then exposed to H2S gas for 2, 4, 6, and 15 h to nucleate CdS nanoparticles within the P3HT:SA matrices. Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM) and Energy Dispersive X-ray (EDX) were used to characterize the hybrid organic/inorganic thin films. Both morphological and elemental studies demonstrated the existence of CdS nanoparticles. The optimized gas exposure time for hybrid polymer P3HT:SA:CdS was 6 h. This study implies that ALD and gas exposure techniques are practical for fabricating hybrid organic/inorganic nanocomposite thin films at room temperature.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Germany Germany
1
India India
1
Iraq Iraq
1
Ireland Ireland
48049
Malaysia Malaysia
2628
Mexico Mexico
95364
Romania Romania
19551
South Korea South Korea
5256
Taiwan Taiwan
266535
Ukraine Ukraine
1503852
United Kingdom United Kingdom
24648700
United States United States
21203610

Downloads

Algeria Algeria
1
China China
14313432
Germany Germany
1
India India
10511
Iraq Iraq
1
Ireland Ireland
1
Malaysia Malaysia
24648699
Romania Romania
735
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
1
Taiwan Taiwan
1
Ukraine Ukraine
3978163
United States United States
47793553
Unknown Country Unknown Country
1

Files

File Size Format Downloads
Syed_A_Malik_jnep_4_2022.pdf 440.53 kB Adobe PDF 90745101

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.