Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91464
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Surface-Barrier CdTe Diodes for Photovoltaics
Other Titles Поверхнево-бар’єрні CdTe діоди для фотовольтаїки
Authors Mazur, T.
Mazur, M.
Halushchak, M.
ORCID
Keywords поверхнево-бар’єрний діод
CdTe
струм короткого замикання
напруга холостого ходу
квантова ефективність
surface barrier diode
short circuit current
open-circuit voltage
quantum efficiency
Type Article
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91464
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Tetiana Mazur, Myroslav Mazur, Marian Halushchak, J. Nano- Electron. Phys. 15 No 2, 02006 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02006
Abstract В даній роботі проведено порівняльний аналіз застосування в енергетиці напівпровідникових сонячних елементів на основі монокристалічного, полікристалічного й аморфного кремнію (Si), а також телуриду кадмію (CdTe). Показано, що переваги тонкоплівкові технології й самого CdTe, як прямозонного напівпровідника, відкривають перспективу широкомасштабного виробництва конкурентоспроможних CdTe сонячних модулів (батарей). Описується технологія виготовлення підкладок, нанесення на пластинки індієвого омічного контакту, піддавання частини підкладок ряду додаткових обробок у водяній суспензії лужних металів, зокрема Li – CdTe:Li та проведення досліджень на них, а також на хімічно травлених підкладках, які не пройшли ніяких додаткових обробок і умовно позначені CdTe. Вивчаються можливості застосування для фотоперетворювачів приладів на основі монокристалічного CdTe, які називаються поверхнево-бар’єрними діодами (ПБД). Обговорюються технологічні досягнення, які призводять до змін фізико-хімічних властивостей поверхонь монокристалічних n-CdTe підкладок (їх основних оптичних, електричних та фотоелектричних параметрів, а також характеристик контактів метал-напівпровідник на базі монокристалічного телуриду кадмію). Аналізуючи властивості об'єктів досліджень слід відмітити, що модифікація поверхні впливає не тільки на величину висоти потенціального бар'єру, але також істотно змінює характер протікання електричних та фотоелектричних процесів, а морфологія поверхні підкладок CdTe:Li залишається подібною немодифікованим, хоча величина ПБД на їх основі помітно вище. Також встановлено, що швидкість поверхневої рекомбінації ПБД на базі підкладинок з поверхневою наноструктурою на два і один порядок менше, ніж в структурах на основі базових підкладинок і оброблених в суспензії солей лужних металів відповідно. Модифікація підкладок призводить до збільшення ефективності сонячних елементів (СЕ), причому найбільша ефективність фотоперетворення СЕ спостерігається для ПБД на базі підкладок з поверхневою наноструктурою і становить 9 % при температурі 300 К за умови освітлення АМ2. Розглядаються способи використання технологій, запропонованих у роботі, для створення поверхнево-бар’єрних фотоелементів на основі тонких плівок CdTe.
In this paper, a comparative analysis of the use of semiconductor solar cells based on single-crystal, polycrystalline and amorphous silicon (Si), as well as cadmium telluride (CdTe) in the energy sector is carried out. It is shown that the advantages of thin-film technology and CdTe itself as a direct-gap semiconductor open the prospect of large-scale production of competitive CdTe solar modules (batteries). The technology of manufacturing substrates, applying indium ohmic contact to the plates, exposing some of the substrates to a number of additional treatments in an aqueous suspension of alkali metals, in particular Li – CdTe:Li and conducting research on them, as well as on chemically etched substrates that have not undergone any additional processing and conventionally designated CdTe. The possibilities of using devices based on single-crystal CdTe, which are called surface barrier diodes (SBDs), are being studied for converters. Technological advances that lead to changes in the physicochemical properties of single-crystal surfaces of n-CdTe substrates (their main optical, electrical, and photoelectric parameters, as well as the characteristics of metal-semiconductor contacts based on single-crystal cadmium telluride) are being discussed. Analyzing the properties of the research objects it should be noted that surface modification not only affects the potential barrier height but also significantly changes the course of electric and photoelectric processes, while the surface morphology of CdTe:Li substrates remains similar to unmodified ones, although the SBDs based on them are noticeably higher. It was also found that the rate of surface recombination of SBDs based on substrates with a surface nanostructure is two and one orders of magnitude lower than in structures based on basic substrates and alkali metal salts treated in suspension, respectively. The modification of substrates leads to an increase in the efficiency of solar cells (SCs), and the highest photoconversion efficiency is observed for SBDs based on substrates with a surface nanostructure and reaches 9 % at 300 K under AM2 illumination. The methods of using the technologies proposed in this work for the creation of surface-barrier photocells based on thin CdTe films are considered.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
Belgium Belgium
1
China China
172536
Colombia Colombia
1
Côte d’Ivoire Côte d’Ivoire
1
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
1
India India
1
Iran Iran
1
Iraq Iraq
342
Japan Japan
1532456
Mexico Mexico
1
Nigeria Nigeria
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
31
Ukraine Ukraine
3788
United Kingdom United Kingdom
30075
United States United States
2298668
Unknown Country Unknown Country
4041694

Downloads

China China
4041693
France France
4041696
Hong Kong SAR China Hong Kong SAR China
4041697
Indonesia Indonesia
1
Iraq Iraq
345044
Japan Japan
15
Nigeria Nigeria
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
172536
United States United States
4041694
Unknown Country Unknown Country
4041695
Uzbekistan Uzbekistan
1

Files

File Size Format Downloads
Mazur_jnep_2_2023.pdf 460.35 kB Adobe PDF 20726074

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.