Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91482
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Photoelectric Properties of the Mn2O3/n-InSe Heterojunction
Other Titles Фотоелектричні властивості гетеропереходу Mn2O3/n-InSe
Authors Tkachuk, I.G.
Orletskii, I.G.
Ivanov, V.I.
Kovalyuk, Z.D.
Zaslonkin, A.V.
Netyaga, V.V.
ORCID
Keywords селенід індію
Mn2O3
гетероструктури
вольт-амперні характеристики
фоточутливість
indium selenide
heterojunction
I-V characteristics
photosensitivity
Type Article
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91482
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation I.G. Tkachuk, I.G. Orletskii, et al., J. Nano- Electron. Phys. 15 No 2, 02022 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02022
Abstract Методом низькотемпературного спрей-піролізу виготовлено фоточутливі гетеропереходи Mn2O3/nInSe. На нагріту підкладку з шаруватого кристалу n-InSe розпилювався водний розчин відповідного складу. В результаті чого на його поверхі утворювалась тонка плівка Mn2O3. Використання шаруватих напівпровідників дозволяє отримувати якісні інтерфейси, навіть при значній розбіжності параметрів кристалічних граток контактуючих матеріалів. Фронтальний шар з широкозонного напівпровідника Mn2O3 є прозорим в області максимального поглинання світла у InSe. Це дозволяє ефективно експлуатувати фотоелектричні властивості останнього. Проведено дослідження фотоелектричних та оптичних властивостей отриманого гетеропереходу, побудовано відповідні графічні залежності: вольтамперні характеристики та диференційний опір при різних температурах, температурна залежність висоти потенційного бар’єру, спектральна залежність відносної квантової ефективності в інтервалі енергій фотонів 1.2÷3.2 eV. Запропоновано теоретичні моделі, що описують отримані результати. На основі аналізу температурних залежностей прямих і зворотних гілок вольт-амперних характеристик визначено енергетичні параметри гетеропереходу. Проведено оцінку величини послідовного та шунтуючого опорів. Визначені механізми формування прямого та зворотного струмів крізь енергетичний бар’єр Mn2O3/n-InSe.
Photosensitive Mn2O3/n-InSe heterojunctions were produced by the method of low-temperature spray pyrolysis. An aqueous solution of the appropriate composition was sprayed onto a heated substrate made of a layered n-InSe crystal. As a result, a thin film of Mn2O3 was formed on its surface. The use of layered semiconductors makes it possible to obtain high-quality interfaces, even with significant differences in the crystal lattice parameters of the contacting materials. The front layer of the wide-gap semiconductor Mn2O3 is transparent in the region of maximum light absorption in InSe. This makes it possible to effectively exploit the photovoltaic properties of the latter. The photoelectric and optical properties of the obtained heterojunction were studied, the corresponding graphical dependences were constructed: current-voltage characteristics and differential resistance at different temperatures, temperature dependence of the height of the potential barrier, spectral dependence of the relative quantum efficiency in the photon energy range of 1.2÷3.2 eV. Theoretical models describing the obtained results are proposed. Based on the analysis of the temperature dependences of the direct and reverse branches of the current-voltage characteristics, the energy parameters of the heterojunction were determined. The value of the series and shunt resistances was evaluated. The mechanisms of the formation of forward and reverse currents through the Mn2O3/n-InSe energy barrier are determined.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Belgium Belgium
1
China China
769829
Côte d’Ivoire Côte d’Ivoire
1
Germany Germany
61
Iran Iran
18154
Japan Japan
1
Kazakhstan Kazakhstan
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
5291584
United Kingdom United Kingdom
9207
United States United States
16355125
Unknown Country Unknown Country
71272
Vietnam Vietnam
1

Downloads

China China
16355123
France France
1
Pakistan Pakistan
1
Poland Poland
1
Singapore Singapore
1
South Korea South Korea
1
Turkey Turkey
1
Ukraine Ukraine
6489
United States United States
16355124
Unknown Country Unknown Country
16355122

Files

File Size Format Downloads
Tkachuk_jnep_2_2023.pdf 642.92 kB Adobe PDF 49071864

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.