Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91485
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | The Improved Performance with Reduction in Toxicity in CIGS Solar Cell Using Ultra-thin BaSi2 BSF Layer |
Other Titles |
Покращена продуктивність зі зниженням токсичності сонячної батареї CIGS із використанням ультратонкого шару BaSi2 BSF |
Authors |
Kancha, Km.
Sahu, A. Yadav, S. |
ORCID | |
Keywords |
CIGS Cd0.6Zn0.4S ZnSe тонкоплівковий соняний елемент ефективність перетворення SCAPS-1D thin-film solar cell conversion efficiency |
Type | Article |
Date of Issue | 2023 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/91485 |
Publisher | Sumy State University |
License | In Copyright |
Citation | Km. Kanchan, Anupam Sahu, Shivangi Yadav, J. Nano- Electron. Phys. 15 No 2, 02025 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(2).02025 |
Abstract |
У цій статті представлено тонкоплівковий сонячний елемент (TFSC) на основі поглинаючого шару мідііндія-галію-диселеніду (CIGS) і недорогого ультратонкого BaSi2 Back Surface Field (BSF) із каркасом
Al/SnO2F/буферний шар/CIGS/BaSi2/Mo/підкладка були запропоновані. Щоб підвищити ефективність і
зменшити токсичність, Cd0.6Zn0.4S (сплав CdS і ZnS) та ZnSe були використані як відповідні буферні шари
замість звичайних токсичних буферних шарів CdS. Запропонований TFSC також повинен бути економічно
ефективним, тому товщину шару CIGS було оптимізовано (варіюється від 0,1-1 мкм). З буферними шарами
Cd0.6Zn0.4S and ZnSe запропонований TFSC досягає максимальної ефективності перетворення (CE) 28,11 % і
27,72 % відповідно для оптимізованої товщини CIGS 0,8 мкм і шару BaSi2 BSF 0.3 мкм.Крім того,
запропонований TFSC був досліджений на зміну щільності дефектів поглинаючого шару CIGS. Крім того,
результати, отримані для запропонованого TFSC, показують покращення продуктивності порівняно з раніше
зареєстрованим TFSC на основі CdS. In this article, the thin-film solar cell (TFSC) based on Copper-Indium-Gallium-Diselenide (CIGS) absorber layer and low-cost ultra-thin BaSi2 Back Surface Field (BSF) with the framework of Al/SnO2:F/bufferlayer/CIGS/BaSi2/Mo/Substrate have been proposed. To enhance the performance and reduce the toxicity, the Cd0.6Zn0.4S (alloy of CdS and ZnS) and ZnSe have been used as suitable buffer layers as a replacement for conventional toxic CdS buffer layers. The proposed TFSC also aims to be cost-effective, therefore the thickness of the CIGS layer has been optimized (varied from 0.1-1 µm). With the Cd0.6Zn0.4S and ZnSe buffer layers, the proposed TFSC achieves the maximum conversion efficiency (CE) of 28.11 % and 27.72 %, respectively for the optimized CIGS thickness of 0.8 µm and BaSi2 BSF layer thickness of 0.3 µm. Further, the proposed TFSC has been investigated for variation in defect density of the CIGS absorber layer. Additionally, the results obtained for the proposed TFSC show improvement in the performance from the previously reported CdS-based TFSC. |
Appears in Collections: |
Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics) |
Views

1

1

16340604

1

8866235

1

1

216

4433115

12171

16340606

6097
Downloads

1806

1

219

1

2716968

16340607

1

8866232

1

1

1

1

1

22540

12170

1

16340609

4433114
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Kancha_jnep_2_2023.pdf | 846.73 kB | Adobe PDF | 48734274 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.