Чисельне моделювання структури та характеристик транзисторів на основі двовимірних наноматеріалів

Abstract

Обгрунтуванням актуальності теми є потенціал застосування двовимірних наноматеріалів в електроніці через їх унікальні фізичні властивості. Мета роботи полягає у вивченні та застосуванні чисельних методів для моделювання структури та електронних характеристик транзисторів із каналом на основі двовимірних наноматеріалів. Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі: - вивчення моделей, які враховують особливості транспорту носіїв у 2D-матеріалах; - аналіз потенційних застосувань 2D-матеріалів у приладобудуванні При виконанні даної роботи 2D-матеріалів використовувалися методи чисельного моделювання структури та характеристик польових транзисторів із каналами на основі двовимірних наноматеріалів. Результати дослідження показали, що транзистори із каналом на основі молібден сульфіду та інших мають великий потенціал для поліпшення робочих характеристик порівняно з традиційними транзисторами. Вони відзначаються високою швидкістю роботи, низькою енергоспоживанням та великими коефіцієнтами підсилення. Отримані результати є важливим внеском у розуміння та розвиток нових технологій транзисторів на основі двовимірних наноматеріалів. Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є фізичні процеси в польових транзисторах на основі двовимірних наноматеріалів. Предмет досліджень комп’ютерне моделювання структури та характеристик транзисторів на основі двовимірних наноматеріалів.