Please use this identifier to cite or link to this item:
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92230
Or use following links to share this resource in social networks:
Tweet
Recommend this item
Title | Комп’ютерне моделювання структури та характеристик транзисторів на основі нанодротів |
Other Titles |
Computer simulation of structures and characteristics of transistors based on nanowires |
Authors |
Микитенко, В.Г.
|
ORCID | |
Keywords |
нанодроти польові транзистори комп’ютерне моделювання електричні параметри температурні характеристики nanowires field-effect transistors computer modeling electrical parameters temperature characteristics |
Type | Bachelous Paper |
Date of Issue | 2023 |
URI | https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92230 |
Publisher | Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету" |
License | Copyright not evaluated |
Citation | Микитенко В. Г. Комп’ютерне моделювання структури та характеристик транзисторів на основі нанодротів : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. І. П. Бурик. Конотоп : Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2023. 43 с. |
Abstract |
Обгрунтуванням актуальності теми є потенціал польових транзисторів із каналами на основі нанодротів для наноелектроніки та їх можливості впливати на покращення продуктивності та функціональності електронних пристроїв.
Мета роботи полягає у розробці та застосуванні комп’ютерних моде-лей структури та електронних характеристик польових транзисторів із кана-лами на основі нанодротів.
Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі:
- вивчення моделей, які враховують особливості характеристик польових транзисторів із каналами на основі нанодротів;
- аналіз температурних залежностей польових транзисторів із каналами на основі нанодротів кремнію
Для досягнення цієї мети були використані методи комп’ютерного моде-лювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD.
У роботі використано комп’ютерне моделювання для аналізу характе-ристик транзисторів на основі нанодротів кремнію. Спочатку розроблено комп’ютерну модель, яка описує структуру цих елементів і їх електричні властивості. Далі проведене числове моделювання, використовуючи методи розв'язання диференціальних рівнянь в рамках дрейф-дифузiйної моделi.
Об'єкт досліджень: транзистори із каналами на основі нанодротів.
Предмет досліджень: комп'ютерне моделювання структури та характе-ристик цих транзисторів. |
Appears in Collections: |
Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КІ) |
Views
![Australia](/flags/au.gif)
1
![France](/flags/fr.gif)
1
![Germany](/flags/de.gif)
1
![Ireland](/flags/ie.gif)
1
![Japan](/flags/jp.gif)
1
![Ukraine](/flags/ua.gif)
1
![United Kingdom](/flags/gb.gif)
16
![United States](/flags/us.gif)
336
![Unknown Country](/flags/--.gif)
60
Downloads
![Algeria](/flags/dz.gif)
1
![Germany](/flags/de.gif)
91
![Ukraine](/flags/ua.gif)
419
![United Kingdom](/flags/gb.gif)
1
![United States](/flags/us.gif)
419
Files
File | Size | Format | Downloads |
---|---|---|---|
Mykytenko_bak_rob.pdf | 1,27 MB | Adobe PDF | 931 |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.