Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92419
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Study of Surface Morphology with Electrical and Optical Properties of GO and rGO
Other Titles Вивчення морфології поверхні з електричними та оптичними властивостями GO та rGO
Authors Mondal, A.
Maiti, D.K.
Biswas, H.S.
ORCID
Keywords GO і rGO
XRD
AFM
SEM
морфологія поверхні
ВАХ
GO
rGO
surface morphology
I-V characteristcs
Type Article
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92419
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation Aniruddha Mondal, Dilip K. Maiti, Hari Shankar Biswas, J. Nano- Electron. Phys. 15 No 3, 03019 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(3).03019
Abstract Тонка плівка оксиду графену (GO) має двовимірну листову структуру та була синтезована власним шляхом за допомогою вдосконаленого сольвотермічного методу Хаммера. Традиційно окисно-відновний підхід може бути характерною технікою для виготовлення плівок GO у розширеному масштабі. АСМхарактеристика показує, що плівка GO має двовимірну структуру пластинчастого шару та товщину від 3 до 5 нм. Термічна обробка відновлює плівку GO до відновленого оксиду графену (rGO). Кристалічність тонкої плівки GO була визнана за допомогою XRD. Типовий характерний пік 2θ з'явився на 9,85, що відповідає (001) листа GO для вуглецю з d-відстанню 0,9 нм. Атомно-силова мікроскопія (AFM), скануюча електронна мікроскопія (SEM) та інфрачервона спектроскопія з перетворенням Фур’є (FTIR) були використані для характеристики морфологічних і оптичних властивостей тонких плівок GO і rGO. Електричні властивості тонких плівок досліджували за допомогою вольт-амперних (ВАХ). Видно, що тонка плівка rGO демонструє вищу провідність, ніж GO і значення ≈ 5.1 x 10 – 4 См/см, а також змінює морфологію та оптичні властивості. Зміна морфологічних і оптичних властивостей вказує на те, що GO втрачає кисневі групи з утворенням rGO. Причиною зміни провідності є зменшення GO при температурі 280 °C і зменшення функціональних груп кисню порівняно з GO, підтвердженим FTIR.
Graphene oxide (GO) thin film possesses a 2D sheet structure and was synthesized indigenously via the enhanced solvothermal Hummer method. Conventionally, the redox approach can be a characteristic technique to fabricate GO films on an expanded scale. AFM characterization shows GO film had a 2D lamellar layer structure and a thickness between 3 to 5 nm. Heat treatment reduces the GO film to reduced graphene oxide (rGO). The crystallinity of GO thin film was recognized by XRD study. The typical characteristic 2θ peak appeared at 9.85 corresponding to (001) of the GO sheet for carbon with a d-spacing of 0.9 nm. Atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), and Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) were employed to characterize the morphological and optical properties of the GO and rGO thin films. The electrical properties of the thin films were studied with current-voltage (I-V) properties. It is seen that the rGO thin film shows higher conductivity than GO and the value ≈ 5.1 x 10 – 4 S/cm, and also changes the morphology and optical properties. The morphological and optical properties change indicates that GO loses oxygen groups to form rGO. The reason behind the change of conductivity is the reduction of GO at 280 °C temperature and decreased oxygen functional groups as compared to GO confirmed by FTIR.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Australia Australia
1
China China
1
India India
34194
Ireland Ireland
7
Italy Italy
1
Mexico Mexico
1
South Korea South Korea
744
Spain Spain
26
Ukraine Ukraine
1
United Kingdom United Kingdom
283
United States United States
34199
Unknown Country Unknown Country
2911

Downloads

China China
34195
Finland Finland
1
India India
2910
Mexico Mexico
1
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
1461
United States United States
34197
Unknown Country Unknown Country
25667

Files

File Size Format Downloads
Mondal_jnep_3_2023.pdf 575.5 kB Adobe PDF 98433

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.