Electrical Properties and Photosensitivity of n-Mn2O3/p-InSe Heterojunctions Produced by the Spray Pyrolysis Method

Abstract

Досліджені умови нанесення методом спрей-піролізу при температурі 350 оС тонких напівпровідникових плівок Mn2O3 на підкладки з кристалічного шаруватого напівпровідника p-InSe для створення анізотипних гетеропереходів n-Mn2O3/p-InSe. InSe є перспективним матеріалом для фотоелектроніки. Використання плівки Mn2O3, яка є прозорою в області максимальної фоточутливості InSe, дозволяє ефективно експлуатувати оптичні властивості InSe при створенні різних напівпровідникових пристроїв. Перевагою використання шаруватих напівпровідників при виготовленні гетеропереходів є те, що якісні інтерфейси отримуються навіть при значному неспівпаданні параметрів кристалічних граток вихідних матеріалів. Це значно розширює вибір матеріалів гетеропереходів. Проведені виміри електричних та фотоелектричних параметрів гетеропереходів n-Mn2O3/p-InSe та запропоновано теоретичні моделі, що їх описують. Побудовано графічні залежності I-V характеристик, послідовного опору, висоти потенційного бар’єру та фоточутливості. Встановлено, що дані гетеропереходи є фоточутливі та володіють випрямляючими властивостями. Використовуючи енергетичні параметри вихідних матеріалів, побудовано енергетичну діаграму гетеропереходу, яка дозволяє провести аналіз фізичних процесів в отриманих гетеропереходах. За температурною залежністю як прямих, так і зворотних вольт-амперних характеристик встановлена динаміка зміни з температурою енергетичних параметрів гетеропереходу, а також механізми протікання струму крізь гетероперехід. Проаналізована спектральна фоточутливість гетеропереходу.

The conditions of application of thin semiconductor Mn2O3 films on p-InSe crystalline layered semiconductor substrates at a temperature of 623 K by the spray-pyrolysis method to create anisotypic heterojunctions n-Mn2O3/p-InSe were investigated. InSe is a promising material for photoelectronics. The use of the Mn2O3 film, which is transparent in the region of maximum photosensitivity of InSe, makes it possible to effectively exploit the optical properties of InSe in the fabrication of various semiconductor devices. The advantage of using layered semiconductors in the production of heterojunctions is that high-quality interfaces are obtained even with a significant discrepancy in the parameters of the crystal lattices of the starting materials. This significantly expands the choice of heterojunction materials. Electrical and photoelectric parameters of n-Mn2O3/p-InSe heterojunctions were measured and theoretical models describing them were proposed. The graphical dependencies of I-V characteristics, series resistance, height of the potential barrier and photosensitivity are constructed. It was established that these heterojunctions are photosensitive and have rectifying properties. Using the energy parameters of the starting materials, an energy diagram of the heterojunction was constructed, which allows for the analysis of physical processes in the obtained heterojunctions. Based on the temperature dependence of both direct and reverse I-V characteristics, the dynamics of changes in the energy parameters of the heterojunction with temperature, as well as the mechanisms of current flow through the heterojunction, are established. The spectral photosensitivity of the heterojunction was analyzed.