Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94059
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Band Gap Engineering of New Lutetium-based Orthovanadates
Other Titles Заборонена зона нових ортованадатів на основі лютецію
Authors Hreb, V.M.
Klysko, Yu.V.
Shpotyuk, M.V.
Vasylechko, L.O.
ORCID
Keywords рідкоземельний ортованадат
характеристика структури
розрахунок ab initio
заборонена зона
спектр дифузного відбиття
rare-earth orthovanadate
structure characterization
ab initio calculation
band gap
diffuse reflectance spectra
Type Article
Date of Issue 2023
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94059
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation V.M. Hreb, Yu.V. Klysko, M.V. Shpotyuk, L.O. Vasylechko, J. Nano- Electron. Phys. 15 No 6, 06014 (2023) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.15(6).06014
Abstract Ряд змішаних ортованадатів номінального Lu0.5R0.5VO4 (R = Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb) синтезовано методом твердофазної реакції в тристадійний процес відпалу. Однофазні порошки з меншими Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb отримували після другої стадії прожарювання при 1200 ˚C протягом 5 годин, тоді як для великих Ce, Pr, Nd, Sm потребували третього прожарювання. Уточнений аналіз кристалічної структури Рітвельдом підтверджує структуру типу циркону (просторова група I41/amd). Крім того, у змішаному ряді Lu0.5R0.5VO4 спостерігалася лінійна залежність отриманих параметрів ґратки від іонного радіуса заміщеного лантаноїду R. Параметри решітки, оптимізовані методами ab initio, дещо менші за параметри, отримані за допомогою уточнення Рітвельда, що можна пояснити неточностями в описі f-електронів за допомогою теорії функціоналу густини (DFT). Спектри пропускання та дифузного відбиття змішаних сполук Lu0.5R0.5VO4 подібні до спектрів, отриманих для відповідних ортованадатів RVO4. Обидва отримані спектри вказують на значні відмінності в інтенсивності пропускання/відбиття між зразками, відпаленими при 1200 і 1400 °C, але ширина забороненої зони залишається незмінною, що свідчить про покращення їх кристалічності. Як експериментальні, так і теоретичні результати показують ледь помітне зменшення забороненої зони, що спостерігається при зменшенні іонного радіуса лантаноїдів. Ретельний аналіз електронної структури матеріалів і спектрів дифузного відбиття свідчить про те, що положення f-рівнів лантаноїдів є визначальним фактором у формуванні валентних зон і зон провідності.
A series of mixed orthovanadates with nominal composition Lu0.5R0.5VO4 (R = Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb) were synthesized by a solid-state reaction method in the three-stage annealing process. The single-phase powders with smaller Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb were obtained after the second calcined stage at 1200 °C for 5h, while for large Ce, Pr, Nd, Sm needed a third calcining. Rietveld refinement analysis of the crystal structure confirms a zircon-type structure (space group I41/amd). Furthermore, a linear dependence of the obtained lattice parameters on the ionic radius of the substituted lanthanide R was observed in the mixed Lu0.5R0.5VO4 series. The lattice parameters optimized by ab initio methods are slightly smaller than parameters obtained by Rietveld refinement, which can be explained by inaccuracies in the description of f-electrons using density functional theory (DFT). The transmission and diffuse reflectance spectra of mixed compounds Lu0.5R0.5VO4 are similar to such spectra obtained for corresponding orthovanadates RVO4. Both obtained spectra indicated significant differences in transmission/reflection intensities between samples annealed at 1200 °C and 1400 °C, but the band gap width remained unchanged, suggesting an improvement their crystallinity. Both experimental and theoretical results reveal a barely noticeable reduction in the band gap observed with a reduction of the ionic radius of the lanthanides. A thorough analysis of the electronic structure of the materials and diffuse reflectance spectra suggests that the position of the f-levels of lanthanides is the determining factor in the formation of valence and conduction bands.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

United States United States
8
Unknown Country Unknown Country
1

Downloads

China China
13
France France
1
United States United States
11

Files

File Size Format Downloads
Hreb_jnep_6_2023.pdf 1,12 MB Adobe PDF 25

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.