Synthesis of High Electrical Conductivity of Superconductor NiS Thin Films

Abstract

У цій роботі представлені результати досліджень фізичних властивостей наноструктурних тонких плівок сульфіду нікелю (NiS), які були нанесені на нагріті скляні підкладки (T = 250 °C) за допомогою технології розпилювального піролізу (SPT) з використанням різних концентрацій прекурсорів. Два джерела розчину: гіксагідрат нітратів нікелю {(Ni(NO3)2.7H2O)=X} і тіосечовина {(CS(NH2)2)=Y}: {30% [X].60%[Y]}, {33%[X].76% [Y]}&{36% [X]. 73 % [Y]} із фіксацією інших експериментальних умов. Результати рентгенівського дифракційного аналізу показали, що всі зразки тонких плівок сульфіду нікелю (NiS) є полікристалічними в гексагональній фазі та мають переважну орієнтацію (010). Розмір кристаліту (D) оцінювався за співвідношенням Дебая-Шеррера і становив у діапазоні від 9,915 нм до 22,148 нм. Виникнення зв’язку Ni-S, що відповідає частоті 778,573 см – 1, було підтверджено аналізом FTIR. Енергія забороненої зони змінювалася для зразків від 0,87, 0,88 до 0,92 еВ. Опір пластини (Rsh) було виміряно за допомогою чотириточкового методу, який використовувався для визначення провідності зразків.

In this work, we prepared and studied the physical properties of nickel sulfide (NiS) nanostructure thin films, which were deposited on heated glasses substrates (T  250°C) using the spray pyrolysis technique (SPT)using different Precursor concentrations of these two solution sources: nickel nitrates hyxahydrate {(Ni(NO3)2.6H2O)=X} and thiourea {(CS(NH2)2)=Y}: {30% [X].70%[Y]}, {33%[X].76% [Y]}&{36% [X]. 63 % [Y]} with fixing the other remaining experimental conditions, and this is to understand more the role of the Precursor concentrations of the solutions on the physical properties of nickel sulfide thin films. The results of X-ray diffraction (DRX) analysis showed that all nickel sulfide (NiS) thin films samples are polycrystalline in a hexagonal phase and have a preferred orientation of (010). The Crystallite size (D) was estimated by The Debye–Scherrer’s relation, ranging from 9.915 nm to 22.148 nm. The emergence of the Ni-S bond corresponding to the frequency 668.563 cm – 1 was confirmed by FTIR analysis. On the other hand, the energy of the band gaps varies for samples from 0.87, 0.88 to 0.92 eV. Finally, the Sheet resistance (Rsh) was measured using the four-point method, which it used to determine the conductivity of the samples.