Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/95206
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Effect of Introduction Layers of Native Oxide, InN, and InSb on the Electrical Characterization of the Au/n-InP
Other Titles Вплив введених шарів природного оксиду, InN та InSb на електричні характеристики Au/n-InP
Authors Sadoun, A.
ORCID
Keywords InP
InN
InSb
діоди Шотткі
вольт-амперна характеристика
вольт-ємнісна характеристика
інтерфейс
щільність станів
Schottky diodes
current–voltage
capacitance–voltage
interface state density
Type Article
Date of Issue 2024
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/95206
Publisher Sumy State University
License Creative Commons Attribution 4.0 International License
Citation Ali Sadoun, J. Nano- Electron. Phys. 16 No 2, 02001 (2024) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.16(2).02001
Abstract У дослідженні було перевірено, як природні шари InN та InSb впливають на вольт-амперні та вольт-ємнісні характеристики діода Шотткі Au/n-InP при температурі 300 К з і без станів розділу, пасток і тунельного струму. Моделювання проводилося за допомогою симулятора пристрою Atlas-SilvacoTcad. На основі вольт-амперних характеристик було установлено, що ефективна висота бар’єрів становить 0,474; 0,544 і 0,561 еВ, на основі вольт-ємнісних характеристик – 0,675; 0,817 і 0,800 еВ. Крім того використання високо-низькочастотного методу для розрахунку середньої щільності міжфазних станів, яка була визначена приблизно як 6.03 ∙ 1011 and 3.33 ∙ 1012 см – 2 ∙ eВ – 1. Результати показують, що тонка плівка InN та InSb може ефективно пасивувати поверхню InP, про що свідчить висока продуктивність зразка.
Our study examined how native oxide layers, InN and InSb, affected the current-voltage and capacitance-voltage characteristics of the Au/n-InP Schottky diode at a temperature of 300 K with and without interface states, traps, and tunneling current. The simulation was carried out using the Atlas-Silvaco-Tcad device simulator. From our results, we found that the effective barrier heights were measured to be 0.474 eV, 0.544 eV, and 0.561 eV via I-V measurements and 0.675 eV, 0.817 eV, and 0.80 eV via C-V measurements. Additionally, we utilized the high-low frequency method to calculate the average density of interface state density, which was determined to be approximately 6.03 ∙ 1011 and 3.33 ∙ 1012 сm – 2 ∙ eV – 1. The results indicate that a thin film of InN and InSb can effectively passivate the InP surface, as evidenced by the good performance of the passivized sample.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

Algeria Algeria
1
China China
44
Ireland Ireland
1
Mongolia Mongolia
1
Netherlands Netherlands
1
Singapore Singapore
1
Ukraine Ukraine
2
United States United States
89
Unknown Country Unknown Country
1

Downloads

Algeria Algeria
142
China China
1
France France
1
Germany Germany
143
Turkey Turkey
36
Ukraine Ukraine
4
United States United States
141

Files

File Size Format Downloads
Sadoun_jnep_2_2024.pdf 595.73 kB Adobe PDF 468

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.