Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96024
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Моделювання робочих характеристик фотоперетворювачів третього покоління
Other Titles Working characteristics simulation of third-generation photo-converters
Authors Новіков, М.С.
ORCID
Keywords третє покоління
перовськит
монокристал
полікристал
CIGS
CdS
ВАХ
ККД
квантова ефективність
SCAPS 3307
Origin 2022
third generation
perovskite
single crystal
polycrystal
ccd
quantum efficiency
Type Bachelous Paper
Date of Issue 2024
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96024
Publisher Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету"
License Copyright not evaluated
Citation Новіков М. С. Моделювання робочих характеристик фотоперетворювачів третього покоління : робота на здобуття кваліфікаційного ступеня бакалавра : спец. 171 - електроніка / наук. кер. М. М. Іващенко. Конотоп : Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету", 2024. 30 с.
Abstract Мета дипломної роботи – моделювання робочих характеристик фотоперетворювачів третього покоління, дослідження і аналіз різних типів сонячних елементів, ознайомлення з їхніми перевагами та недоліками, розуміння їх можливого впливу на сучасну сонячну промисловість. Обладнання, яке використовувалося під час виконання моделювання та аналізу робочих характеристик це – середовище для моделювання SCAPS, а також програмне забезпечення Origin 2022, яке використовувалося для побудови графіків з вихідних даних отриманих за допомогою попереднього ПЗ. У роботі було розглянуто та проаналізовано різноманітні типи сонячних елементів, включаючи монокристалічні та полікристалічні сонячні елементи (СЕ), тонкоплівкові СЕ, на основі тонкої плівки CIGS, та перовскитові СЕ. Під час моделювання було зроблено акцент на СЕ, які використовують перовскитовий шар. У ході проведених досліджень були визначені напруга холостого ходу Uхх, густина струму короткого замикання Jкз, фактор заповнення FF, коефіцієнт корисної дії приладу η, залежно від його конструктивних особливостей (товщини віконного та поглинального шарів); ширини забороненої зони Eg, залежно від концентрації Ga та I у сполуці CIGS у співвідношенні Ga/(Ga+I) та робочої температури. Отримані графіки ВАХ, ККД та квантової ефективності сонячного елементу з максимальною ефективністю.
Appears in Collections: Кваліфікаційні роботи здобувачів вищої освіти (КФК)

Views

Belgium Belgium
1
China China
17
India India
16
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
1
United States United States
59
Unknown Country Unknown Country
5

Downloads

China China
18
Ukraine Ukraine
1
United States United States
54
Unknown Country Unknown Country
1

Files

File Size Format Downloads
Novikov_bac_rob.pdf 1.56 MB Adobe PDF 74

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.