Performance Analysis of Vertical Gate-All-Around Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor for Low-Power Applications

Abstract

Дослідження зосереджено на багатомостовому польовому транзисторі з вертикальним затвором (VGAAMBCFET), який є критично важливим компонентом у розробці малопотужних програм. Досліджується кілька стратегій оптимізації для покращення продуктивності VGAA-MBCFET, з особливим акцентом на покращенні коефіцієнта ввімкнення/вимкнення, зменшенні струму витоку та точному налаштуванні ВАХ. Дослідження підкреслює характерну структуру вертикального затвора та переваги масштабованості, які відрізняють VGAAMBCFET від горизонтальних аналогів, таких як FinFET і бічні GAAFET. Поглиблені дослідження масштабованості VGAA-MBCFET до менших технологічних вузлів є значним пріоритетом, оскільки визнано вирішальним для впливу на майбутнє складних і компактних інтегральних схем. У документі визнається революційний вплив цих інновацій на вдосконалення великомасштабної інтеграції (LSI), а також їхній вплив на траєкторію носимих технологій у ширшому контексті мініатюризації інтегральних схем. Проблеми, пов’язані зі скороченням, відкрито обговорюються з визнанням їх складності. вплив на продуктивність і функціональність одягу. Оскільки носійна технологія спрямована на об’єднання високопродуктивних обчислювальних систем, це дослідження розглядає обмеження традиційних технологій і досліджує, чи можуть VGAA-MBCFETs бути трансформаційною технологією, що дозволяє створювати компактні, але потужні конструкції в енергоефективних електронних гаджетах. Дослідження використовує надійні підходи до моделювання, щоб забезпечити повне розуміння можливостей і можливих застосувань VGAA-MBCFETs, забезпечуючи значний внесок у поточний прогрес технології електронних пристроїв малої потужності.

The study focuses on the Vertical Gate-All-Around Multi-Bridge-Channel Field-Effect Transistor (VGAAMBCFET), which is a critical component in developing low-power applications. Several optimization strategies are being investigated to improve VGAA-MBCFET performance, with a particular focus on improving the on-off ratio, reducing leakage current, and fine-tuning I-V characteristics. The study emphasizes the distinctive vertical gate-allaround structure and scalability benefits that distinguish VGAA- MBCFETs from horizontal counterparts such as FinFETs and lateral GAAFETs. In-depth research on the scalability of VGAA-MBCFETs into smaller technological nodes is a significant priority, since it is recognized as crucial to influencing the future of sophisticated and compact integrated circuits. The paper acknowledges these innovations revolutionary impact on large-scale integration (LSI) improvements, as well as their influence on the trajectory of wearable technology within the larger context of integrated circuit miniaturization the issues provided by downsizing are openly discussed, with recognition of their complicated impact on wearable performance and functionality. As wearable technology aims to incorporate highperformance computing systems, this study addresses the constraints of traditional techniques and investigates whether VGAA-MBCFETs can be a transformative technology, allowing for compact yet powerful designs in energyefficient electronic gadgets. The study uses robust modelling approaches to provide thorough insights into the capabilities and possible applications of VGAA-MBCFETs, providing a significant contribution to the ongoing progress of low-power electronic device technology.