Моделювання коаксіальних структур польових транзисторів з каналами у вигляді вуглецевих нанотрубок

Abstract

Вуглецеві нанотрубки (Carbon nanotubes CNT) – перспективні матеріали для формування каналів польових транзисторів (FET’s) завдяки їх унікальним властивостям. Висока продуктивність, низьке енергоспоживання та мінімізація впливу короткоканальних ефектів обумовлюють значний практичний інтерес насамперед до коаксіальних CNTFET’s. Геометрія нанотрубок має значний вплив на транспорт носіїв заряду [1, 2]. Їх діаметри можуть знаходитися в широкому інтервалі значень від одиниць до сотень нанометрів. З одного боку CNT стають більш провідним при збільшенні діаметра, з іншого – це погіршує керуючу здатність затвора. Крім того, при цьому збільшується струм витоку і споживання електроенергії, також відбувається зменшення ширини забороненої зони та зменшення порогової напруги транзистора. Мета роботи полягала у числовому моделюванні коаксіальних CNTFET’s із затворами типу Gate-all-around (GAA) з використанням інструментів Silvaco TCAD.