Температурна залежність параметрів біполярних транзисторів

Ткаченко, А.М.; Задорожний, В.О.; Могилевський, В.В.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99444

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Температурна залежність параметрів біполярних транзисторів
Authors	Ткаченко, А.М. Задорожний, В.О. Могилевський, В.В.
ORCID
Keywords	біполярні транзистори інтегральні схеми температурна залежність bipolar transistors integrated circuits temperature dependence
Type	Conference Papers
Date of Issue	2025
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99444
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Ткаченко А. М., Задорожний В. О., Могилевський В. В. Температурна залежність параметрів біполярних транзисторів / наук. кер. І. Ю. Проценко // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма Міжнародної наукової конференції молодих вчених, Суми, 21–25 квітня 2025 року / відп. за вип. Ю. Ю. Волк. Суми : Сумський державний університет, 2025. С.44.
Abstract	Біполярні транзистори як невід'ємна складова мікроелектронних пристроїв виступають в ролі активних елементів інтегральних схем, керованих джерел струму, підсилювачів та перемикачів. Їх конструкція передбачає інтеграцію спеціалізованих ізоляційних зон для забезпечення належного функціонування в межах єдиного кристалу, щільність розміщення транзисторів в якому може перевищувати 106.
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Downloads

Files

File	Size	Format	Downloads
Tkachenko_bipolar_transistors.pdf	2.09 MB	Adobe PDF	0