Вплив вмісту селену на електричні властивості плівок CdZnTeSe

Лісовенко, О.І.; Знаменщиков, Ярослав Володимирович; Опанасюк, Анатолій Сергійович

Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99586

Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item

Title	Вплив вмісту селену на електричні властивості плівок CdZnTeSe
Authors	Лісовенко, О.І. Znamenshchykov, Yaroslav Volodymyrovych Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych
ORCID	http://orcid.org/0000-0002-6866-0414 http://orcid.org/0000-0002-1888-3935
Keywords	детектори іонізуючого випромінювання кристалічна гратка ionizing radiation detectors crystal lattice
Type	Conference Papers
Date of Issue	2025
URI	https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99586
Publisher	Сумський державний університет
License	Copyright not evaluated
Citation	Лісовенко О. І., Знаменщиков Я. В., Опанасюк А. С. Вплив вмісту селену на електричні властивості плівок CdZnTeSe // Фізика, електроніка, електротехніка : матеріали та програма Міжнародної наукової конференції молодих вчених, Суми, 21–25 квітня 2025 року / відп. за вип. Ю. Ю. Волк. Суми : Сумський державний університет, 2025. С. 128.
Abstract	Чотирьохкомпонентна сполука CdZnTeSe (Cd1-xZnxTe1-ySey) вивчається як матеріал нового покоління для створення детекторів іонізуючого випромінювання, що працюють при кімнатній температурі. Додавання селену до кристалічної гратки CdZnTe приводить до її ефективного зміцнення, а зі збільшенням вмісту Se знижується концентрація включень/преципітатів телуру. Встановлено, що кристали CdZnTeSe демонструють кращу кристалічність, ніж CdZnTe, що у свою чергу може привести до більшого виходу високоякісного матеріалу з електричними та спектроскопічними властивостями характерними для матеріалів CdTe та CdZnTe [1].
Appears in Collections:	Наукові видання (ЕлІТ)

Views

Unknown Country

1

Downloads

Files

File	Size	Format	Downloads
Lisovenko_crystal_lattice.pdf	2.01 MB	Adobe PDF	0