English українська
  1. SumDU Repository

Browsing by Keywords вольт-амперна характеристика


Showing results 1 to 20 of 21
Issue Year Title Author(s) Type Views Downloads
2019 Computer Simulation of the Electrotransport Characteristics of the "Au – Bipyridine – Au" Nanocontact Sergeyev, D. Article 34153914 11472573
2024 Effect of Introduction Layers of Native Oxide, InN, and InSb on the Electrical Characterization of the Au/n-InP Sadoun, A. Article 36 44
2019 Features of the Electrical Characteristics of an Octagraphene Nanotube Sergeyev, D. Article 1534965 1776632
2023 Thermoelectric Generators Current Intensifiers Kindrachuk, M.V.; Volchenko, D.O.; Zhuravlev, D.Yu.; Ostashuk, M.M.; Kachmar, R.Ya. Article 462 470
2017 Вплив температури і магнітного поля на вольт-амперні характеристики магніторезисторів Tkach, Olena Petrivna; Odnodvorets, Kateryna Serhiivna Conference Papers 678585510 24363551
2020 Дослідження вольт-амперної характеристики p-n-переходу засобами моделювання в labview Суровицький, М.Ю. Bachelous Paper -2096274772 170048008
2017 Електричні властивості матеріалів плівкових омічних контактів на основі Fe, Cu, Cr і Ge Vlasenko, Oleksandr Volodymyrovych; Zakharchenko, Nadiia Mykolaivna; Odnodvorets, Larysa Valentynivna Conference Papers 27539208 16371140
2019 Електронні індикатори: фізичні принципи функціонування та робочі характеристики Гончаренко, О.М. Bachelous Paper 8 1
2018 Електронні діодні схеми для випрямлення та стабілізації сигналів Лохоня, К.О. Bachelous Paper 3 0
2012 Електрофізичні властивості та структура тонких плівок стеарату натрію (С17Н35СООNa) Гуцул, О.В.; Шаплавський, М.В.; Слободян, В.З. Article 597003814 543812934
2021 Напівпровідникові діоди в інтегрованій мікроелектроніці: основи роботи та конструктивно-технологічні параметри Костян, М.О. Bachelous Paper 1184004 4945181
2019 Оптоелектронні компоненти систем візуалізації та відображення інформації Однодворець, К.С. Bachelous Paper 5 1
2015 Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики Слободзян, Д.П.; Павлик, Б.В.; Кушлик, М.О. Article -1002202216 -371309195
2022 Приладово-технологічне моделювання FET’s транзисторів на основі нанострічок Сидоренко, Р.Г. Bachelous Paper 10856 43434
2020 Світловипромінювальні діоди як елементи оптоелектронних систем Скубак, Р.М. Bachelous Paper -1232393743 644694751
2018 Температурна залежність робочих характеристик біполярних транзисторних структур Сніжко, В.В. Masters thesis 6 1
2019 Фізико-теоретичні і технологічні принципи функціонування діодів Шотткі як елементів електронних систем Босенко, В.С. Masters thesis 4 1
2022 Фізико-технічні основи функціонування світлодіодних електронних систем Панченко, Д.М. Masters thesis 51449 60587
2019 Фізичні і технічні характеристики напівпровідникових діодів різних типономіналів Тарасенко, Д.Ю. Bachelous Paper 3 0
2018 Інжекційна спектроскопія локалізованих станів у плівках напівізолюючих cполук А2В6 Opanasiuk, Anatolii Serhiiovych; Tyrkusova, Nadiia Volodymyrivna; Kolesnyk, Maksym Mykolaiovych; Kosiak, Volodymyr Volodymyrovych; Kurbatov, Denys Ihorovych; Dobrozhan, Oleksandr Anatoliiovych Monograph 1542865 2068309