Періодичні видання СумДУ
Permanent URI for this communityhttps://devessuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/69
Browse
11 results
Search Results
Item Calculation of Intracellular Pressure of Red Blood Cells at Jaundice According to Atomic Force Microscopy Data(Sumy State University, 2016) Nagornov, Yu.S.; Zhilyaev, I.VThe present work is devoted to the analysis of three-dimensional data of atomic force microscopy for research of the morphology of red blood cells. In this paper we built a biomechanical model of the erythrocyte, which allowed calculating the intracellular pressure of erythrocyte based on data of atomic force microscopy. As a result, we obtained the dependence intracellular pressure on the morphology of red blood cell. We have proposed a method of estimating of intracellular pressure of erythrocytes based on numerical modeling and data of atomic force microscopy of erythrocytes scan, which involves a comparison of the experimental data with the results of numerical calculation. The method is applied to the data of atomic force microscopy of erythrocytes of experimental animals - dwarf domestic pigs with different degrees of obstructive jaundice and normal. It is shown that with increasing severity of the disease and the concentration of bilirubin in the blood there is an infringement erythrocyte membranes, by an average increasing their volume and intracellular pressure.Item Управление морфологией и свойствами наноструктур оксида цинка, изготавливаемых методом импульсного электрохимического осаждения(Сумский государственный университет, 2014) Клочко, Н.П.; Хрипунов, Г.С.; Мягченко, Ю.А.; Мельничук, Е.Е.; Копач, В.Р.; Клепикова, Е.С.; Любов, В.Н.; Копач, А.В.У роботі вивчаються способи управління морфологією і властивостями наноструктур цинк оксиду, що виготовляються методом імпульсного електрохімічного осадження. Демонструється вплив перемішування електроліту, зміни форми прямокутних імпульсів потенціалу катода-підкладки, а також складу електроліту і тривалості процесу імпульсного електроосадження на морфологію, кристалічну структуру та оптичні властивості наноструктурованих масивів ZnO. Аналізуються причини формування за допомогою імпульсного катодного електроосадження без введення в електроліт поверхневоактивних модифікаторів росту масивів ZnO, що складаються з правильних шестигранних нанопластин і їх стопок з вертикальним або горизонтальним розташуванням щодо підкладок, шарів з параболоїдних наноструктур ZnO, а також одновимірних масивів цинк оксиду, орієнтованих перпендикулярно до підкладки. Методом атомної силової мікроскопії продемонстровано виготовлення зазначених наноструктурованих масивів цинк оксиду. За допомогою рентгенівської дифрактометрії та оптичної спектроскопії вивчені кристалічна структура та властивості наноструктур ZnO, виготовлених методом імпульсного електрохімічного осадження.Item Топологічні особливості парофазних наноструктур SnTe на поліаміді(Сумський державний університет, 2014) Салій, Я.П.; Чав’як, І.І.; Биліна, І.С.; Фреїк, Д.М.Наведено результати дослідження наноструктур на поверхні тонких плівок станум телуриду, осаджених з парової фази на підкладках поліаміду методом відкритого випаровування у вакуумі. Комп’ютерний аналіз результатів атомно-силової мікроскопії виявив вплив технологічних факторів на особливості форм та поверхневої орієнтації наноострівців. Показано, що наноструктури різного розміру є куполоподібними з малим відношенням їх висоти до латерального діаметру. Встановлено слабку залежність симетрії острівців від технологічних факторів осадження.Item RF Magnetron Sputtering of Silicon Carbide and Silicon Nitride Films for Solar Cells(Sumy State University, 2014) Zakhvalinskii, V.S.; Piljuk, E.A.; Goncharov, I.Yu.; Rodriges, V.G.; Kuzmenko, A.P.; Taranenko, S.V.; Abakumov, P.A.RF-magnetron nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere was used for obtaining thin silicon carbide and silicon nitride films, that are used for constructing solar cells based on substrates of single crystal silicon of p-type. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36380Item Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3(Сумський державний університет, 2014) Галій, П.В.; Ненчук, Т.М.; Яровець, І.Р.Методами скануючих тунельної, атомно-силової мікроскопій (СТМ, АСМ) та дифракції повільних електронів (ДПЕ) на відбивання досліджено топографію, кристалографію та атомну структуру повер- хонь сколювання (ПС) (100) шаруватих кристалів (ШК) In4Se3, одержаних шляхом сколювання in situ.Одержані результати вказують на існування періодичної, гофрованої структури на ПС. Показано, що ПС (100) In4Se3 є структурно стабільними і не зазнають атомної реконструкції у широкому температурному діапазоні 77-295 K. Встановлена анізотропія теплового розширення ПС за основними кристалографічними напрямками у площині сколу (100) In4Se3. Проведені розрахунки значень сталих двовимірної гратки, що знаходяться у площині ПС (100) орторомбічних ШК In4Se3 за результатами ДПЕ (b=11,475 Å та c=3,734 Å) задовільно співпадають з результатами отриманими методами АСМ та СТМ (b=13-14 Å та c=4 Å) та знаходяться у межах похибки вказаних методик, співпадаючи із значеннями одержаними методом X-дифрактометрії (b=12,308(1) Å та c=4,0810(5) Å). Крім того, одержані результати дослідження структури ПС, вказують на коректність використання фільтрування зображень топограм, отриманих методом СТМ та адекватність використаної моделі для розрахунку сталих поверхневої гратки ПС (100) In4Se3 за результатами ДПЕ. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/36104Item Фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe з наноструктурованою поверхнею фронтального шару(Сумський державний університет, 2013) Ковалюк, З.Д.; Катеринчук, В.М.; Кудринський, З.Р.; Литвин, О.С.Досліджені фоточутливі гетеропереходи n-In2O3 / p-InSe, в яких фронтальний шар In2O3 є наноструктурованим. Виявлено, що спектри фоточутливості таких гетеропереходи істотно залежать від по- верхневої топології оксиду. Це свідчить про те, що оксид в парі з напівпровідниковою підкладкою відіграє не лише роль активної компоненти структури, але і одночасно служить комірчастим дифракційним елементом. Поверхнева топологія оксиду досліджувалася за допомогою атомно-силового мікрос- копа. За різних умов окислення InSe поверхня зразків містила наноформування переважно у формі наноголок. Їх структура мала як невпорядкований, так і впорядкований характер. Оптичний розмір- ний ефект в плівці оксиду виявлений завдяки поєднанню властивостей наноструктуризованої повер- хні In2O3 і анізотропного поглинання світла в InSe. Чим вище відхилення падаючого світла від його нормального напрямку, викликане наноструктурованою поверхнею оксиду, тим більші зміни у фото- генерації носіїв в анізотропному напівпровіднику. Ці зміни полягали в розширенні смуги фотовідгу- ку, а також в особливостях поведінки екситонної лінії в спектрі гетеропереходу. Чим вище густина і впорядкування наноголок, тим більше довгохвильовий зсув смуги фотовідгуку і інтенсивніший екси- тонний пік в спектрі. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35580Item Atomic Force Analysis of Elastic Deformations of CD(Сумський державний університет, 2013) Kuzmenko, A.; Kuzko, A.; Timakov, D.; Dobromyslov, M.The procedure for the determination of elastic parameters according to reference nanometer lithographic marks by atomic force microscopy on samples with up to microscopic sizes is proposed. Analysis of dynamic changes of elastic characteristics that makes it possible to establish the critical rotation velocity of a CD without plastic deformations has been made. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33672Item Diode Based on Amorphous SiC(Сумський державний університет, 2013) Zakhvalinskii, V.S.; Borisenko, L.V.; Aleynikov, A.J.; Piljuk, E.A.; Goncharov, I.; Taran, S.V.Diode structure on the basis of amorphous silicon carbide and p-type polycrystalline silicon (Eurosolar) were obtained with magnetron RF-nonreactive sputtering method from solid-phase target in argon atmosphere. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33656Item Features of Structure of Magnetron Films Si3N4 and SiC(Сумський державний університет, 2013) Kuzmenko, A.P.; Chekadanov, A.S.; Zakhvalinsky, S.V.; Pilyuk, E.A.; Dobromyslov, M.B.By small-angle X-ray scattering and atomic force microscopy shows the features of the structure of thin films of Si3N4 and SiC, deposited by magnetron sputtering on glass substrates. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/33652Item Frictional Anisotropy of Metal Nanoparticles Adsorbed on Graphene(Сумський державний університет, 2013) Хоменко, Олексій Віталійович; Хоменко, Алексей Витальевич; Khomenko, Oleksii Vitaliiovych; Проданов, Микола Вікторович; Проданов, Николай Викторович; Prodanov, Mykola Viktorovych; Khomenko, M.A.; Krasulya, B.O.На основі методу класичної молекулярної динаміки досліджується сила тертя, що діє на наночастинки срібла і нікелю, які зсуваються на пластинці графену в різних латеральних напрямах. Результати виявляють існування фрикційної анізотропії для обох металів. У більшості випадків максимальне значення сили тертя приблизно у два рази більше ніж мінімальне. Вид залежностей миттєвих значень компонент сили тертя від відповідних латеральних компонент положення центру маси наноострівців сильно залежить від напряму ковзання, змінюючись між пилкоподібним і нерегулярним. Запропоновано якісне пояснення результатів, що ґрунтується на моделі “плям”. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/31950