Characteristics and Electrical Parameters of Silicon Nanowires (SiNWs) Solar Nanocells

Abstract

Сонячні елементи з кремнієвих нанодротів (SiNWs) стають важливим напрямом наукових досліджень, особливо в галузі нових технологій у фотоелектричній енергетиці. У роботі вивчаються статичні характеристики (I-V, P-V) та різні електричні параметри (ISC, VOC, Imax, Vmax, Pmax та FF) сонячного наноелементу з SiNWs в залежності від кількості нанодротів (n) при кімнатній температурі та під дією глобальних (AM1.5G) спектрів освітлення за допомогою програмного забезпечення 2D-Atlas SILVACO. Результати моделювання показують, що сонячний елемент з кремнієвих нанодротів (SiNWs) характеризується гарними електричними характеристиками та високою продуктивністю. Збільшення кількості нанодротів – це хороша технологія для поліпшення поведінки та електричних характеристик сонячних елементів з SiNWs.

Silicon nanowires (SiNWs) solar cells are becoming an important axis of scientific research especially in the field of new technologies for photovoltaic energy. In this paper, static characteristics (I-V, P-V) and different electrical parameters (ISC, VOC, Imax, Vmax, Pmax and FF) of the SiNWs solar nanocell are studied according to the number of nanowires (n) at room temperature and under global (AM1.5G) illumination spectra using 2D-Atlas SILVACO software. The simulation results show that the silicon nanowires (SiNWs) solar nanocell is characterized by good electrical characteristics and high performance. Increasing the number of nanowires is a good technique for improving the behavior and electrical performance of the SiNWs solar cells.