Приладово-технологічне моделювання структури та параметрів кремнієвих FinFET транзисторів

Abstract

Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є тривимірні структури кремнієвих FET-транзисторів із Fin-каналами та їх електричні характеристики. Мета роботи полягає у дослідженні впливу масштабування та квантових ефектів у каналах тривимірних кремнієвих транзисторів типу FinFET на їх робочі характеристики. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд FinFET технології, яка використовується для виготовлення елементів інтегральних мікросхем. У другому розділі розглядаються методи побудови тривимірних структур польових транзисторів в рамках технології FinFET та їх вольт-амперних характеристик за допомогою програмного пакету Silvaco TCAD. У третьому розділі були успішно спроєктовані SOI TG FinFET транзистори та досліджені на вплив масштабування та квантових ефектів у Fin-каналах на їх робочі характеристики.