Комп`ютерне моделювання базових компонентів напівпровідникової технології: діодів та МОН транзисторів

Abstract

Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є фізичні основи принципу дії, структурні та робочі характеристики напівпровідникових діодів та МОН транзисторів. Мета роботи полягає у вивчені фізичних моделей напівпровідникових діодів та МОН транзисторів, алгоритмів їх комп’ютерного моделювання, аналізу отриманих експериментальних результатів. При виконанні роботи для розробки та створення структур напівпровідникових діодів та МОН транзисторів використовувалися методи комп’ютерного приладно-технологічного моделювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У результаті проведених досліджень було виконано ряд моделювань структур напівпровідникових діодів та МОН транзисторів, набуто навичок роботи з транспортними моделями, зроблено висновки про особливості застосування таких елементів в сучасній мікроелектрониці. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд сучасних систем програмного моделювання та їх можливостей. У другому розділі описано методи розробки, опису фізичної моделі діодів та МОН транзисторів, алгоритм створення віртуальної моделі в програмному середовищі та отримання результатів у зручному для сприйняття вигляді. У третьому розділі було спроектовано віртуальні моделі описаних діодних та транзисторних структур, проаналізовано та порівняно результати моделювання з реальними характеристиками.