Числове моделювання впливу температури на параметри FinFET’s

Abstract

Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є транспорт носіїв заряду в структурах FinFET з кремнієвим каналом. Мета роботи полягає у дослідженні впливу температури на продуктивність FinFET з кремнієвим каналом. У результаті проведених досліджень у програмному середовищі Silvaco ТCAD було виконано моделювання структури FinFET, набуто навичок роботи з транспортними моделями, зроблено висновки про особливості робочих характеристик сучасних польових транзисторів. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд розвитку технологій виготовлення польових транзистрів. У другому розділі розглядається методика моделювання структури FinFET з кремнієвим каналом та її робочих характеристик за допомогою програмного пакету Silvaco TCAD. У третьому розділі були спроєктовані тривимірні структури та досліджені на вплив температури на їх продуктивність, отримані результати свідчать про високу термічну стійкість електричних параметрів FinFET з кремнієвим каналом.