Please use this identifier to cite or link to this item: https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89832
Or use following links to share this resource in social networks: Recommend this item
Title Technological Features of Real Contact Systems’ Production for Nanosystem Equipment
Other Titles Технологічні особливості виготовлення реальних контактних систем для приладів наносистемної техніки
Authors Nikonova, A.A.
Nebesniuk, O.Y.
Nikonova, Z.A.
ORCID
Keywords технологія
контактні системи
фотоелектричні перетворювачі
кремнієві структури
гетеропереходи
параметри
характеристики
technology
contact system
photoelectric converters
silicon structures
heterojunctions
parameters
characteristics
Type Article
Date of Issue 2022
URI https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/89832
Publisher Sumy State University
License In Copyright
Citation A.A. Nikonova, O.Y. Nebesniuk, Z.A. Nikonova, J. Nano- Electron. Phys. 14 No 5, 05014 (2022) DOI: https://doi.org/10.21272/jnep.14(5).05014
Abstract У статті розглянуті шляхи підвищення ефективності фотоелектричних перетворювачів за рахунок застосування гетероструктур SnO2 | Zn2O3 – SiOx – nSi – n+Si і опрацювання технології виробництва контактних систем. Емпірично досліджено фізичні процеси, що відбуваються в гетероструктурах, проведено аналіз методологій та режимів їх отримання. Розглянуто значні переваги фотоелектричних перетворювачів на основі представлених структур в порівнянні із закордонними аналогами. Авторами запропонована альтернативна технологія створення контактних систем до гетероструктур і експериментально доведено, що відпалені контактні системи мають переваги, в першу чергу, з точки зору зниження числа технологічних операцій і до цього часу являються актуальними. Використання такої композиції дозволило знизити температуру відпалу, що привело до покращення морфології отриманих контактних систем у порівнянні з традиційними. Доведено, що застосування таких контактних систем дозволить підвищити ефективність фотоелектричних приладів за рахунок простоти технологічного процесу і дешевих матеріалів, що приведе до зниження собівартості виробу.
In the article, the ways of increasing the efficiency of photoelectric transducers due to the application of SnO2 | Zn2O3 – SiOx – nSi – n + Si heterostructures and elaboration of the technology of contact systems production are dwelt upon. Physical processes, taking place in heterostructures, are empirically examined, the methodology and modes of their production are analyzed. It is sustained, that photoelectric transducers, produced on the basis of such structures, have significant advantages in comparison with foreign analogues. The authors proposed an alternative technology for creating contact systems to heterostructures and experimentally proved that annealed contact systems have advantages, primarily in terms of reducing the number of technological operations and are still relevant. The use of such a composition allowed to reduce the annealing temperature, which led to improved morphology of the obtained contact systems compared to traditional ones. It is proved that the application of such contact systems will increase the efficiency of photoelectric appliances due to simplicity of technological process and cheap materials, that will lead to the reduction of cost price of the product.
Appears in Collections: Журнал нано- та електронної фізики (Journal of nano- and electronic physics)

Views

China China
68190
Germany Germany
1
Ireland Ireland
67
Russia Russia
5
South Korea South Korea
1
Ukraine Ukraine
9877
United Kingdom United Kingdom
1913
United States United States
68189
Unknown Country Unknown Country
1
Uzbekistan Uzbekistan
243

Downloads

China China
1
Czechia Czechia
1909
Ireland Ireland
1
Israel Israel
1
South Korea South Korea
9875
Ukraine Ukraine
9878
United Kingdom United Kingdom
1912
United States United States
28040

Files

File Size Format Downloads
Nikonova_jnep_5_2022.pdf 381,68 kB Adobe PDF 51617

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.