Electronic Spectrum of a Quasi-2D Semiconductor in Strong Electromagnetic Field

Abstract

Розглянуто зміну форми спектрів квазі-2D напівпровідника під дією резонансного опромінення з частотою Ω, яка визначається умовою 0 ≤ h∙Ω - Eg˂˂ Eg. Дослідження показали три типи таких змін. Їх проаналізовано у двох випадках: а) залежно від Ω при фіксованих параметрах зон квазі-2D напівпровідника (ефективних мас mc, mh, електронів і дірок у площині шарів, інтегралів перекриття βc, βh) і б) навпаки, при зміні параметрів зон при фіксованих Ω. Вказано на вирішальну роль βc, βh у прояві того чи іншого з трьох типів зміни форми спектра.

The change in the shape of the spectra of a quasi-2D semiconductor under the action of resonant irradiation of the frequency Ω, which is determined by the condition 0 ≤ h∙Ω - Eg˂˂ Eg, is considered. The studies showed three types of such a changes. They were analysed in the two cases: a) depending on Ω at fixed parameters of the quasi-2D semiconductor bands (effective masses mc, mh of electrons and holes in the plane of layers, overlap integrals βc, βh) and b) vice versa, when the band parameters change at fixed Ω. The decisive role of βc, βh in the manifestation of one or another of the three types of the spectrum shape change is indicated.